​这是一家远比华为还想象中要低调，且超乎想象科技公司。

这是一家远比华为还想象中要低调，且超乎想象科技公司。

公司简介

长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，目前已在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

从股权构成来说，一部分资金来自政府资本，一部分资金来源于民间资本。国家集成电路（持股9.8001%）、阿里巴巴（持股1.3916%）等。

董事长 朱一明

2018年起，担任长鑫存储技术有限公司董事长兼首席执行官。朱一明先生在美国从事存储器设计工作多年，是一名连续创业者。他在2005年回中国创办了兆易创新，成为全球Nor Flash 市场的领军企业。朱一明先生多次参与国内领先技术的研发项目，申请国际国内专利已超过120个，获环球资源颁发的“年度创新人物奖”及中国半导体行业协会集成电路设计分会颁发的“中国IC设计业年度企业家”等多个荣誉和奖项。2019年，成为全球半导体联盟GSA董事会成员。朱一明先生先后获得清华大学学士和硕士学位，以及纽约州立大学石溪分校硕士学位。集成电路设计专业教授级高级工程师。

公司核心管理层由拥有25年以上经验半导体行业领军人物领衔，共同引领公司成长与践行战略。公司管理层持续营造创新文化，鼓励技术创新，并吸纳了来自全球知名半导体企业的人才， 致力于为客户、为市场提供高价值的产品与服务，实现商业成功。

公司发展历程

2018年 第一座12英寸晶圆厂完成设备安装，同年研发出国内首个8Gbit DDR4芯片。

2019年量产标准型DRAM芯片，包括19nm的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X等，良率在70-75%，成为全球第四家量产20nm以下DRAM的厂商。

2020年 总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目顺利签约。这是中国大陆目前唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目。

2021年 推出17nm工艺DDR5/LPDDR5等内存芯片。

2022年 长鑫存储正处在提升产能的关键时期，产能预计是12万片/月，将成为中国第一家DDR5生产商。

2023年11月28日，据长鑫存储官网显示，长鑫存储推出了最新 LPDDR5 DRAM 存储芯片，是国内首家推出自主研发生产的 LPDDR5 产品的品牌，实现了国内市场零的突破，同时也令长鑫存储在移动终端市场的产品布局更为多元。

2024年1月，长鑫存储开始量产 18.5 纳米 DRAM，初期月产 10 万片晶圆。二期扩建将在 2024 年底前完成，每月增加 40000 片晶圆，让长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。

公司技术前身

长鑫存储技术有限公司与奇梦达公司有密切的渊源，其初始技术来源可以追溯到奇梦达公司的破产和解和专利出售。

在2014年，英飞凌公司支付了1.35亿欧元给奇梦达公司破产管理人，并收购了奇梦达公司的所有专利，其中包括DRAM技术。随后，英飞凌将这些专利以0.3亿欧元的价格出售给了加拿大的Wi-LAN公司的全资子公司北极星创新有限公司。

在2019年12月，长鑫存储技术有限公司与Wi-LAN公司达成专利许可协议和专利采购协议，获得了奇梦达公司的所有DRAM技术文件、约2.8TB数据、12000多个专利（包括约5000种美国专利），对应的最先进芯片制程是46nm。这次交易的成交金额虽然没有披露，但随后长鑫存储技术有限公司投入了超过25亿美元的研发资金，实现了46nm到1xnm的突破。

此外，长鑫存储技术有限公司还在2020年4月从美国半导体公司Rambus公司获得了大量DRAM技术专利的实施许可。

核心产品

LPDDR4X 内存芯片

LPDDR4X内存芯片是第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器，采用了包括LVSTL 低功耗接口在内的多项降低功耗的产品设计。LPDDR4X内存芯片相较于第三代有更高的传输速率和更出色的功耗表现，是高性能、长续航移动设备的最佳选择。LPDDR4X内存芯片兼具大容量、高速度、高带宽和超低功耗的特点，不仅为智能手机、智能穿戴等移动设备提供更加稳定流畅的体验，还给高分辨率显示、虚拟现实、5G等技术的普及提供更多可能。

LPDDR5 内存芯片

LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%*。长鑫存储LPDDR5芯片加入了强大的RAS功能，通过内置纠错码（On-die ECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。长鑫存储LPDDR5芯片预计也将赋能更多移动设备，满足数字时代日益增长的存储需求。

LPDDR5 内存芯片与上一代LPDDR4X相比，单一颗粒的容量和速率均提升了50%，分别突破12Gb和6400Mbps，功耗降低了30%。LPDDR5有强大的RAS功能，内置纠错码（On-die ECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。

LPDDR5产品包括：12Gb的LPDDR5颗粒，POP（Package on Package）封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。其中，12GB LPDDR5芯片目前已在小米、传音等品牌机型使用，反响效果很好。

（g z h AI科技之窗

LPDDR5已经成为主流，2024年全球LPDDR5的市占率将由29%提升至35%。作为国内首个拥有自主研发生产LPDDR5产品的品牌，长鑫存储实现了国内市场零的突破，加速DRAM产业化成果转化的又一个里程碑。

HBM

目前全球 HBM 市场仍旧由海力士与三星垄断，SK 海力士 HBM 技术起步早，从 2014 年 推出首款 HBM 后，SK 海力士一直是 HBM 行业领头羊，目前海力士占据全球 HBM 市场 一半以上的市场份额。

3D 堆叠+近存储运算”是一种突破内存容量与带宽瓶颈的解决方案，适用于处理大量数据和复杂处理要求。高带宽存储器（HBM）是这种解决方案中的一种重要产品。HBM 使用独特的 TSV（Through Silicon Via，硅通孔）信号纵向连接技术，将数个 DRAM 芯片在缓冲芯片上进行立体堆叠，形成大容量、高位宽的 DDR 组合阵列。TSV 技术是在 DRAM 芯片上搭上数千个细微孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片，使得信号、指令、电流能够贯穿所有芯片层。

相比传统封装方式，HBM 的 TSV 技术能够缩减 30%的体积并降低 50%的能耗。HBM 的这种 3D 堆叠技术大幅提高了容量和数据传输速率，具有更高带宽、更多 I/O 数量、更低功耗、更小尺寸等特征。

在连接方式上，HBM 堆栈不通过外部互连线与 GPU/CPU/Soc 连接，而是通过中间介质层紧凑快速地连接信号处理器芯片。这种连接方式可以降低数据搬运的延迟和功耗。在传统的冯诺依曼计算架构中，处理器 CPU 和存储器之间通过数据总线进行数据交换，由于存储与计算单元的结构、工艺、封装不同，导致存储单元的访问速度跟不上计算单元的数据处理速度。而 HBM 通过 3D 堆叠多层 DDR 提供海量并行处理能力、通过集成型 HBM 提供极高存储器带宽，并使得数据参数距离核心计算单元更近，从而有效提高信息交换速度并降低功耗。预计2024年年底国产HBM全面量产。

市场空间

2022 年全球集成电路产业规模为 4744.02 亿美元，其中存储芯片规模1297.67 亿美元，约占集成电路产业总体规模的22.6%，与逻辑芯片共同构成集成电路产业的两大支柱。中国已成为全球存储最重要的需求市场之一，DRAM、NAND Flash销售规模占据全球30%以上市场份额。长鑫存储和长江存储都有一个很好的期望市场。2023 年 NAND 出货量有望达 8954 亿颗，同比增加 21%。2024 年 NAND 出货量有望继续成长 26%，达 11280 亿颗。

总结

国产存储全面推进，目前国产品牌己经基本全盘接收了。国产化未来势不可挡。而国际品牌所谓的降价，其实不过是一场有预谋的联合绞杀，对我们来说，一时的便宜，并不代表便宜，只要我们一直支持国产，时不待人一定会让我们存储站上世界舞台。

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